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    7纳米,三星,台积电,英特尔,格罗夫德的详细

作为全球最大的半导体公司,英特尔在半导体技术方面保持领先地位,并领导了许多新技术的开发。
但是,近年来,英特尔的半导体技术发展速度似乎逐渐下降。例如,14纳米工艺实际上使用了三代,竞争对手也在推广10纳米工艺。
由于晶体管制造的复杂性,每一代晶体管技术都具有用于不同目的的制造技术版本。不同制造商之间的统计算法是完全不同的。您不必使用生成进行比较。
目前,晶体管密度通常用于工业中以测量工艺水平。事实上,英特尔10纳米最终工艺的晶体管密度甚至高于三星和台积电的7纳米工艺。
根据英特尔公布的晶体管密度表,45纳米工艺的晶体管密度约为3。
3 MTr / mm2(每平方毫米数百万个晶体管),7至32 nm。
5 MTr / mm 2,22 nm为15。
3 MTr / mm 2,乘数约为2
1次
然而,晶体管的密度从2到14nm显着增加。
5次,37次
5毫摩尔/毫米2,10纳米是14纳米或更多2。
7次100次。
8毫升/毫米2。
Goto Hiroshi的分析显示,在比较最近的英特尔,台积电,三星和GF的功能尺寸时,英特尔的14纳米工艺优于三星的14纳米LPP。在三星的10纳米工艺的早期阶段,它有点丢失。
英特尔的10纳米工艺比台积电和三星的10纳米工艺更完整,优于台积电和GF的首款7纳米DUV。
虽然不如第二批三星和GF的7纳米EUV工艺好,但英特尔肯定会深入研究10纳米工艺,但使用三星和GF的7纳米EUV的第二代10纳米并非不可能。


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